江南大學(xué)理學(xué)院教師榮獲2021中國電子學(xué)會科學(xué)技術(shù)獎

　　近日，中國電子學(xué)會公布了2021年中國電子學(xué)會科學(xué)技術(shù)獎名單，學(xué)院光電系教師楊國鋒作為第二完成人申報的“氮化鎵基紫外發(fā)光和探測器件關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用”項目榮獲中國電子學(xué)會科技進步三等獎。

　　中國電子學(xué)會自2003年設(shè)立科學(xué)技術(shù)獎，主要獎勵在電子信息領(lǐng)域科學(xué)研究、技術(shù)創(chuàng)新與開發(fā)、科技成果推廣應(yīng)用和實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化方面取得卓著成績或者做出突出貢獻的集體和個人。2021年中國電子學(xué)會科學(xué)技術(shù)獎一等獎授獎項目36項；二等獎授獎項目66項；三等獎授獎項目46項。

　　此次申報項目由中國電子科技集團公司第三十八研究所、江南大學(xué)、江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司相關(guān)團隊聯(lián)合研發(fā)完成。項目通過GaN基圖形化襯底制備關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)，結(jié)合選擇外延生長技術(shù)和新型光電器件結(jié)構(gòu)設(shè)計，改進材料制備技術(shù)和發(fā)展新的器件加工工藝，實現(xiàn)在GaN基紫外LED芯片和紫外光電探測器領(lǐng)域內(nèi)核心技術(shù)的自主創(chuàng)新，并成功應(yīng)用于紫外LED固化光源模組和高精度太陽紫外輻射監(jiān)測系統(tǒng)。項目實施過程中已取得多項創(chuàng)新性成果，已授權(quán)核心發(fā)明專利6件，解決了III族氮化物化合物半導(dǎo)體材料在光電器件應(yīng)用中存在的關(guān)鍵瓶頸問題。該項目的核心技術(shù)及其創(chuàng)新成果先后在產(chǎn)線實現(xiàn)驗證與投產(chǎn)，相關(guān)應(yīng)用產(chǎn)品符合國內(nèi)外III族氮化物半導(dǎo)體光電器件的發(fā)展趨勢，為高性能的GaN基半導(dǎo)體光電器件的大規(guī)模、低成本、高質(zhì)量開發(fā)和生產(chǎn)提供了重要技術(shù)支持，并產(chǎn)生顯著的經(jīng)濟效益。